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製品グループ
110a高電流需要:
ISUのシールドSMDインダクタは、800V EVインバーターと48V – 12V DC/DCコンバーターに重要な鉄製荷コアと低いDCR巻線(0.4mΩの低い)を介して110A飽和電流を達成します。
2mm超薄いリアリティ:
CDH2D09シリーズインダクタは、ウェアラブルで高さを3mm以下に圧縮しますが、銅量の減少により2mmの設計(ISUの4×4×2mm)を犠牲にします。
トレードオフ:110Aには≥7×7×5mmボリュームが必要です。 25Aで最大2mmプロファイル。
EMI抑制:
TDKのERUC23シールドインダクタは、48V – 12Vコンバーターでリップル電流を40%減少させますが、シールドされていないタイプと15%増加します。
熱暴走リスク:
シールドされていないインダクタ(例えば、CDH38D09)は熱をより速く放散しますが、2MHzで25dB以上のEMIノイズを発し、自動車EMCテストに失敗します。
解決策:ISUの成形合金シールドのバランス抵抗(θJA= 45°C/W)と30dBのノイズ抑制。
MHZスイッチングの課題:
ISUのSPIシリーズのようなインダクタは最大5MHzで動作しますが、3MHzで220MW/cm³を超えるコア損失を受け、GAN PD充電器では効率を12%減らします。
低周波最適化:
FP3415-351(50kHz)は、ソーラーインバーターの98%の効率を維持していますが、3倍のPCB面積を占めています。
ブレークスルー:TDKのフラットワイヤ巻線は、2MHzでAC抵抗を50%削減します。
高度な素材:
鉄製コア(Eaton HCM1103)は、-55°Cから +125°Cの動作を有効にしますが、フェライト相当のコストが2.5倍高くなります。
コスト駆動型の妥協:
フェライトコアインダクタは消費者アプリを支配していますが、産業ロボットの7gを超える振動の下で骨折します。
データの洞察:2025〜2030の予測は、自動車の需要によって駆動される14%CAGRで成長している合金コアSMDインダクタを示しています。
EVチャージャー:AEC-Q200コンプライアンスと389Vサージ耐性が必要です。
サーバーPSU:GPUパワーステージには97A飽和電流(TDK ERUC23)が必要です。
折りたたみ式携帯電話:2mmの高さは、ヒンジゾーンで10層PCBスタッキングを可能にします。
エッジAIデバイス:デバイス上の推論のために5MHz範囲の≤3mmインダクタ。
表:アプリケーションによるSMDインダクタ選択マトリックス
| 応用 | 重要な優先事項 | 推奨仕様 | モデルの例 |
|---|---|---|---|
| EVトラクション | 現在(110a) | AEC-Q200、ΔT<40°C @125°C | ISU SPI-13×13×5 |
| AIサーバー | サイズ(3mm以下) | SRF> 10MHz、θja<50°C/w | CDH2D09/s(2.55mm) |
| ガンチャージャーズ | 周波数(5MHz) | コア損失<150MW/cm³ @3MHz | TDK eruc23(フラットワイヤ) |
| 産業用IoT | 耐久性 | 振動抵抗> 10g | イートンHCM1103 |
ハイブリッドシールド:
θja= 42°C/wを維持しながら、ISUの成形合金 +フェライト複合材はEMIを20dB増加します。
3Dプリント巻線:
添加剤の製造は、4×4×3mmボリュームで110Aを可能にします(プロトタイプQ4'2025)。
熱電シナジー:
bi₂te -coatingsインダクタ廃熱を5v/10mA補助電力に変換します。
SMDインダクタの選択は「110aまたは2mm」ではありません。システムの優先順位を最適化することです。
パワー集約的なデザイン? ISUの110Aコアを合金シールドで優先順位を付けます。
スペースが制約したレイアウト? MHzグレードフェライトで2mmプロファイルを活用します。
デザインの次世代SMDインダクタをテストします。
Ferrtx Engineering: sales@ferrtx.comにお問い合わせください
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