SPI シリーズ: 次世代ポータブルエレクトロニクス向けの超小型パワーインダクタ

FERRTX は、電力密度の限界を再定義する最先端の磁気ソリューションを設計しています。当社の SPI シリーズ パワー インダクタは、5mm 未満の設置面積で業界をリードする 3A ～ 5A の電流を供給し、23% 小型の GaN アダプタ、18% 軽量のラップトップ、およびミッションクリティカルなポータブル デバイスの妥協のない効率を実現します。

小型パッケージでの画期的なパフォーマンス

極度の電流密度

• 0804 フットプリントで 5A: SPI0804S インダクタは、0.021Ω という低い DCR で 5A IDC を実現し (モデル SPI0804S-1R0)、体積 30mm3 以下を必要とするスペースに制約のある GaN ラップトップアダプタに最適です。
• トゥームストーン防止フラットトップ: 特許取得済みのフラットトップ構造により、99.9% のピックアンドプレース精度が保証され、高速 SMT ラインにおけるはんだ欠陥が排除されます。

比類のない電力効率

• 超低 0.04Ω DCR: SPI0402S-1R0 は、競合他社と比較して伝導損失を 40% 削減し、100W PD 高速充電器の効率を 93.5% 以上に高めます。
• 高周波数安定性: フェライトコアは、5G スマートフォンの EMI フィルター段にとって重要な 5MHz でのインダクタンス降下を 2% 未満に維持します。

堅牢な信頼性

• 軍用グレードの耐久性: 260°C のリフローに 10 秒間耐え (MIL-STD-202E 準拠)、-40°C ～ +85°C で動作します。
• シールド インダクタ構造により、EMI 漏れが 20dB 最小限に抑えられ、医療用ウェアラブルの敏感なセンサー回路が保護されます。

技術仕様と検証

SPI シリーズの性能概要

認証:

• RoHS/REACH準拠
• MIL-STD-202E 耐溶剤性
• ハロゲンフリー結線

アプリケーション

• 100W GaN ラップトップ アダプタ: SPI0804S は、1.32W/cm3 密度で 49cc の体積 (47×35×30mm) を実現し、従来の設計より 23% 小型化します。
• ステップアップコンバータ: 太陽光発電ウェアラブルで SPI0402S を使用し、95.3% の効率で 12V→60V 変換を実現します。
• スマートフォンのRF電源: SPI0402SをRFインダクタとして5G PAモジュールに統合し、シールドなしのソリューションと比較してノイズを15dBμV削減します。
• マルチポート充電器: 65W PPS 設計では、かさばるトランスを SPI1306S に置き換え、PCB 面積を 60% 節約します。
• バッテリー駆動センサー: SPI0402S の 0.04Ω DCR は、IoT センサーの実行時間を 30% 延長します。
• EMIフィルターネットワーク：シールド構造により、モータードライブやCTスキャナーのコモンモードノイズを抑制します。