製品概要

空芯インダクタ SMAR シリーズは、1.65nH ～ 538nH のインダクタンス値で優れた高周波性能を実現します。オープンコア アーキテクチャを特徴とするこれらのコンポーネントは、最大 130 の Q ファクタと 12.5 GHz の自己共振周波数 (SRF) を実現します。敏感な回路用の RF インダクタとして理想的で、最大 4.4A の電流処理と超低 DCR (最小 1.1mΩ) を備えたパワーコンバータ設計をサポートします。

主な特長

• 
  真の空芯構造: 磁気飽和を排除して安定したインダクタンス (±2% ～ 10% 許容差)
• 高 Q および SRF: RF インダクター システム用に最適化 (50 ～ 800MHz でテスト)
• 電流処理: 1.6A ～ 4.4A (Irms @20°C 上昇)
• EMCフィルター対応：最大12.5GHzの広帯域ノイズ抑制
• コンパクト SMD パッケージ: 1.4×1.8mm ～ 6.4×5.9mm で高密度 PCB レイアウト向け
• 堅牢な終端: Ag メッキリードにより、はんだの信頼性が保証されます (260°C リフロー)

アプリケーション

• RF インダクタ回路: 5G/WiFi モジュールのインピーダンス整合
• EMC フィルター ネットワーク: 医療センサーおよび IoT デバイスのノイズ低減
• パワーコンバータ: 車載用パワーコンバータの DC/DC モジュール
• 変圧器: XDSL のエネルギー転送システムと結合
• センサー統合システム: 自動車テレメトリおよび産業用センサー ノード
• RF デカップリング: サーバー電力コンバーターの高周波バイパス
• ブロードバンドフィルタリング：液晶テレビやネットワーク機器の変圧器

電気仕様

• インダクタンス範囲: 1.65nH～538nH (±2%～10% @150～800MHz)
• Qファクター: 60～130 (代表値 @400MHz)
• SRF：490MHz～12.5GHz（例：SMAR3037-2N5□の場合は12.5GHz）
• 直流抵抗：1.1mΩ～90mΩ
• 動作温度: -40°C ～ +125°C
• Irms ディレーティング: 25°C で 100% 定格、105°C で 80%

パッケージングとコンプライアンス

• テープ＆リール：EIA-48準拠（2000～7500個/リール）
• RoHS: 鉛フリーリフロー対応 (255 ～ 260°C ピーク)
• 耐溶剤性: MIL-STD-202E を超える

SMARシリーズを選ぶ理由

高周波精度に優れた空芯インダクタです。プレミア RF インダクタとして、センサー駆動の自動車ネットワークでパワー インダクタとして機能しながら、コンパクトな EMC フィルタを実現します。電力コンバータおよび変圧器との互換性により、効率的なエネルギー伝送が保証されます。最小の損失と最大の SRF を要求する設計に対して、SMAR は比類のない RF 完全性を実現します。