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短期的な変動にもかかわらず、SiC は依然として次世代パワーエレクトロニクスにとって最も重要なワイドバンドギャップ半導体材料の 1 つであり、高効率、低損失、改善された熱性能をサポートします。

一部の業界関係者は再編を進めているが、複数の国際企業は引き続きSiC生産ライン、自動化、8インチウェーハの生産能力に多額の投資を行っている。
日本の大手半導体メーカーは最近、8 インチ SiC ウェーハ処理専用の新しい施設を完成させました。この最新の工場には高度な自動化が統合されており、2027年頃に量産が開始される予定です。この拡張は、産業用、自動車用、再生可能エネルギー用途向けの高信頼性SiCパワーデバイスにおけるリーダーシップを維持するという日本の長期的な取り組みを反映しています。
韓国では、数社の企業が SiC IP と製造技術を統合して、専用の SiC ファウンドリ サービスを提供しています。 1,200 V SiC MOSFETを対象とした新しい生産ラインは、今後 2 年以内に増強される予定です。これらのファウンドリは、EV トラクション インバータ、産業用モータ ドライブ、太陽光インバータ、エネルギー貯蔵システムなどの需要の高まりに応えることを目指しています。
インドが新たなプレーヤーとして台頭しつつある。大手半導体新興企業が、国内初の完全な SiC ウェーハ・トゥ・デバイス製造施設の建設を開始した。フル稼働すると(2027年から2028年の間に推定される)、この工場は年間最大6万枚のSiCウェーハを生産し、インドの急速に拡大するEVおよび再生可能エネルギー市場をサポートすることになる。
これらの動向は、市場が再編されているにもかかわらず、世界の SiC 生産能力が依然として増加していることを示しています。
長年にわたり、EV 業界は SiC 成長の主な推進力でした。一部の地域で EV の販売が減速する中、需要はより多様な用途にシフトしています。
太陽光インバータ、風力コンバータ、およびエネルギー貯蔵システムには、変換効率を向上させ、システムのサイズを縮小するためにSiC MOSFETが採用されています。
高出力産業用モータードライブでは、スイッチング性能の向上と発熱の低減のために、SiC への依存度が高まっています。
次世代電源とサーバー電源モジュールは、より高い効率とより低いエネルギーコストを実現するために SiC デバイスに移行しつつあります。
SiC は 400 ~ 800 V の急速充電ステーションで重要な役割を果たし、従来のシリコン IGBT よりも優れた熱安定性と高電圧処理を実現します。
市場調査会社は、SiC ウェーハ、SiC パワーモジュール、ワイドバンドギャップ半導体デバイスの長期的な力強い成長を予測しており、世界の市場価値は今後 10 年間で何倍にもなると予想されています。
SiC 導入の最大の障壁の 1 つはコストです。ただし、いくつかの傾向が価格低下に貢献しています。
8インチSiCウェーハの大量採用
より優れた結晶成長収率と欠陥制御
原料ウェーハ供給における世界的な競争の激化
パッケージングとモジュールの標準化の改善
大手メーカー間の垂直統合
コストが下がり続けるにつれて、SiC パワーデバイスは主流の産業用および民生用エネルギー用途に拡大するでしょう。
電子部品の製造業者、販売業者、OEM/ODM サプライヤーにとって、SiC 市場の変化は次のような新たな戦略的機会をもたらします。
インダクタ、変圧器、電流センサー、EMIコンポーネント、電力変換モジュールなどの回復力のある供給パートナーを必要とする企業はさらに増えるでしょう。
これらの市場は、長期的に安定したサプライヤーを必要としています。これは、国際的な拡大を目指す B2B コンポーネント メーカーにとって理想的です。
インドと東南アジアが SiC 製造に参入することで、世界的な調達チャネルが拡大し、国境を越えた協力の機会が増加します。
SiC デバイスの設計がより標準化されるにつれて、サポートするコンポーネント (磁気コンポーネント、EMC ソリューション、パワー インダクタなど) もそれに応じて進化する必要があります。
SiC 業界は減速しているのではなく、変化しつつあります。短期的な課題が競争環境を再形成している一方で、世界的な投資、多様化したアプリケーション、継続的なウェーハ技術の向上は、強力で安定した未来を指し示しています。
エレクトロニクス分野の B2B メーカーにとって、今が SiC 主導のパワー エレクトロニクスのトレンドに合わせ、この急成長するワイドバンドギャップ半導体エコシステムにおいて信頼できるパートナーとしての地位を確立する絶好の機会です。
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