最適化された製品詳細ページ: ゲートドライブトランス

ゲート ドライブ トランスはパワー エレクトロニクスに不可欠なコンポーネントであり、MOSFET、IGBT、SiC/GaN デバイスに絶縁された制御信号を提供します。最小の伝播遅延 (<10ns) と高い dv/dt 耐性 (>50kV/μs) を実現するように設計されたこれらの特殊なトランスは、高電圧回路での安全で効率的なスイッチングを可能にします。一般的な高周波トランスとは異なり、当社のゲート ドライブ トランスは強化絶縁 (最大 5kVrms) と超低巻線間容量 (<5pF) を備えており、モーター ドライブ、太陽光インバーター、産業用 SMPS のシュートスルーを防ぎます。

主な仕様

• 絶縁電圧: 3.75kVrms (1 分) ～ 5kVrms (拡張モデル)。
• 周波数範囲: 10kHz ～ 1MHz (SiC/GaN トポロジーをサポート)。
• 温度定格: -40°C ～ +150°C (AEC-Q200 可能)。
• パルス処理: dv/dt >50kV/μs の耐性。
• コンパクトな設置面積: 沿面距離が 8mm を超える SMD パッケージ (EE6.3/EP7 など)。
• 巻数比: 1:1、1:1.5、またはカスタム (許容誤差 ±2%)。

アプリケーション

以下のパワーインダクタおよびRFマイクロ波コンポーネントとの同期に最適です。

• モーター ドライブ: EV トラクション インバーター、産業用サーボ コントローラー。
• 再生可能エネルギー: 太陽光マイクロインバーター、バッテリー管理システム (BMS)。
• 産業オートメーション: 無停電電源装置 (UPS)、溶接装置。
• 家庭用電化製品: 高密度充電器、LED ドライバー。
• センサー統合システム: モーター制御における分離されたフィードバック ループ。

設計上の利点

1. ゼロクロストーク動作
   三重絶縁巻線とファラデーシールドにより、容量結合ノイズが除去されます。 EMC フィルタ - EMI/RFI モジュールと組み合わせて、システム全体の EMC 準拠を実現します。

2. 高速スイッチングのサポート
   低い漏れインダクタンス (<5μH) と高い飽和電流 (>1A) により、MHz 周波数での信号歪みを最小限に抑えます。 RF インダクタベースのスナバ回路と互換性があります。

3. 熱弾性
   高キュリー温度のフェライト コアは 150°C での透磁率を維持します。これは、狭いスペースにパワー インダクタと同じ場所に配置する場合に重要です。

4. ドロップイン交換可能性
   業界標準のフットプリント (Wurth/Coilcraft のピン配置など) により、プロトタイピングが加速されます。多段コンバータの高周波変圧器とシームレスに統合します。

このファミリーのシリーズ

Product Series	GT04	GT12	GT14
	GT15	GT16	GT18
	GT28	GT50	TX12XX

FERRTX は、ゲート ドライブ トランス PCB 製品に磁気技術を統合する業界に卓越性の高い基準を設定することに専念しています。