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ブランド: ferrtx
| 販売単位: | Piece/Pieces |
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| ダウンロード: |
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ゲートドライブトランスは、パワーエレクトロニクスの必須コンポーネントであり、MOSFET、IGBT、およびSIC/GANデバイスに孤立した制御信号を提供します。最小の伝播遅延（<10NS）および高DV/DT免疫（> 50kV/μs）のために設計されたこれらの特殊な変圧器は、高電圧回路で安全で効率的なスイッチングを可能にします。一般的な高周波変圧器とは異なり、ゲートドライブトランスは、モータードライブ、ソーラーインバーター、および産業SMPのシュートスルーを防ぐために、強化断熱材（最大5kVRMS）および超低巻き間巻き容量（<5PF）を特徴としています。
重要な仕様
分離電圧：3.75kvrms（1分）から5kvrms（拡張モデル）。
周波数範囲：10kHz〜1MHz（SIC/GANトポロジをサポートします）。
温度定格：-40°C〜 +150°C（AEC -Q200可能性）。
パルス処理：DV/DT> 50kV/μs耐性機能。
コンパクトフットプリント：Creepage> 8mmのSMDパッケージ（EE6.3/EP7など）。
ターン比：1：1、1：1.5、またはカスタム（許容値±2％）。
アプリケーション
パワーインダクタとRFマイクロ波コンポーネントと同期するのに最適です。
モータードライブ：EVトラクションインバーター、産業サーボコントローラー。
再生可能エネルギー：ソーラーマイクロインバーター、バッテリー管理システム（BMS）。
産業用自動化：無停電電源（UPS）、溶接装置。
家電：高密度充電器、LEDドライバー。
センサー統合システム：モーター制御における分離フィードバックループ。
設計上の利点
ゼロクロストーク操作
トリプル絶縁ワイヤ巻線とファラデーシールドは、容量性カップリングノイズを排除します。 Full -System EMCコンプライアンスのためのEMCフィルター-EMI/RFIモジュールとペア。
高速スイッチングサポート
低漏れインダクタンス（<5μH）および高い飽和電流（> 1a）は、MHz周波数での信号の歪みを最小限に抑えます。 RFインダクタベースのスナバー回路と互換性があります。
熱回復力
キュリー温度フェライトの高いコアは、閉じ込められたスペースにパワーインダクタと同時配置された場合、透過性を150°Cで維持します。
ドロップイン交換可能性
業界標準のフットプリント（例えば、Wurth/Coilcraft Pinouts）がプロトタイピングを加速します。マルチステージコンバーターの高周波トランスとシームレスに統合します。
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