最適化された製品詳細ページ: ゲート ドライブ トランス IGBT

ゲート ドライブ トランスは、可変周波数ドライブ (VFD) の重要なコンポーネントであり、IGBT インバーター ステージと低電圧制御回路間の安全なガルバニック絶縁を可能にします。ナノ結晶トロイダル コアを使用して設計された当社の IGBT トランスは、PCB の設置面積を最小限に抑えながら、超小型パッケージで高いスイッチング電力密度を実現します。強化絶縁 (>5kVrms) と超低結合容量 (<3pF) を特徴とするこれらの変圧器は、高 dv/dt 環境でも信頼性の高いスイッチングを保証し、業界標準を超えるコロナ消滅電圧をサポートします。

主な仕様

• 絶縁電圧: 500-1200V 動作範囲 (IEC 61800-5-1 に従って強化)
• 結合容量: <3pF (EMI 伝播を低減)
• コロナ消滅電圧: >2×動作電圧
• 温度範囲: -40℃ ～ +105℃ (動作時/保管時)
• 実装オプション: 高密度レイアウト用のTHT/SMTパッケージ
• カスタマイズ: 調整可能な巻数比と電圧時間積

アプリケーション

パワーインダクタおよびEMCフィルタ - EMI/RFIモジュールとの統合:

• 産業用 VFD: エレベーター モーター、ポンプ コントローラー、CNC 機械
• 再生可能エネルギー: 風力タービンコンバーター、太陽光発電用インバーター
• 牽引システム: EV ドライブトレイン、鉄道推進システム
• 高出力 SMPS: UPS、絶縁型センサーフィードバックを備えた溶接装置
• RF パワー システム: GaN アンプと RF マイクロ波コンポーネントの組み合わせ

設計上の利点

1. スペースに最適化された電力伝送
   ナノ結晶コアにより、フェライト ソリューションよりも設置面積を 50% 小さくすることができます。多段コンバータの高周波変圧器と同じ場所に設置するのに最適です。

2. ノイズ耐性スイッチング
   三重シールド巻線技術によりコモンモード干渉を排除します。 EMC フィルター - EMI/RFI フィルターと組み合わせて完全な VFD 準拠を実現します。

3. 高い dv/dt イミュニティ
   10ns 未満の伝播遅延により、50kV/μs を超える過渡エッジでの IGBT のシュートスルーを防止します。 RF インダクタ スナバ ネットワークによって強化されています。

当社の IGBT トランスを選ぶ理由

中/高出力 VFD を開発するエンジニアにとって、当社のゲート ドライブ トランスは次の重要な課題を解決します。

• 1200Vの中間回路で高い絶縁を実現
• グランドループをブロックすることでセンサーの寿命を延ばします
• 個別ソリューションと比較して BOM コストを 30% 削減
• 強化絶縁により IEC 61800-5-1 の安全性を超える

このファミリーのシリーズ

Product Series	GT28	GT4099	GT4185
	GT4215	GT4615	GT5032
	GT5046

FERRTX は、ゲート ドライブ トランス IGBT 製品に磁気技術を統合または利用する業界に高い水準の卓越性を設定することに専念しています。