ゲートドライブトランスIGBT

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導入
ゲートドライブ変圧器は、可変頻度駆動（VFD）の重要なコンポーネントであり、IGBTインバーターステージと低電圧制御回路の間の安全なガルバニック分離を可能にします。ナノ結晶のトロイダルコアで設計されたIGBTトランスは、PCBフットプリントを最小限に抑えながら、超コンパクトパッケージで高いスイッチング電力密度を提供します。強化された断熱材（> 5KVRMS）と超低カップリング容量（<3PF）を特徴とするこれらの変圧器は、高DV/DT環境での信頼できるスイッチングを保証し、業界の基準を超えるコロナ絶滅電圧をサポートします。

重要な仕様

• 分離電圧：500-1200V作業範囲（IEC 61800-5-1あたりの強化）

• カップリング容量：<3PF（EMI伝播を減らす）

• コロナ絶滅電圧：> 2×動作電圧

• 温度範囲：-40℃〜 +105℃（操作/ストレージ）

• 取り付けオプション：高密度レイアウト用のTHT/SMTパッケージ

• カスタマイズ：調整可能なターン比および電圧時間製品

アプリケーション
パワーインダクタおよびEMCフィルターと統合-EMI/RFIモジュール：

• 産業用VFD ：エレベーターモーター、ポンプコントローラー、CNC機械

• 再生可能エネルギー：風力タービンコンバーター、ソーラーファームインバーター

• トラクションシステム：EVドライブトレイン、鉄道推進

• 高出力SMPS ：UPS、孤立したセンサーフィードバックを備えた溶接装置

• RFパワーシステム： RFマイクロ波コンポーネントと組み合わせたGANアンプ

設計上の利点

1. 空間最適化された電力伝達
   ナノ結晶コアは、フェライト溶液よりも50％のフットプリントを有効にします。マルチステージコンバーターの高周波トランスとのコロケーションに最適です。

2. ノイズ免疫スイッチング
   トリプルシールド巻線技術は、コモンモードの干渉を排除します。 EMCフィルター-EMI/RFIフィルターと組み合わせて、完全なVFDコンプライアンスを提供します。

3. 高DV/DT免疫
   <10NS伝播遅延により、IGBTシュートスルーは50kV/μs過渡エッジを除く防止されます。 RFインダクタスナバーネットワークによって強化されました。

4. カスタム統合の柔軟性
   ユニークなトポロジーの電圧時間製品（10-100V・μs）およびターン比（1：1から1：2）。カスタマイズされたゲートドライブトランスデザインをサポートします。

   なぜIGBTトランスを選ぶのですか？
   中/高出力VFDを開発するエンジニアにとって、当社のゲートドライブトランスは重要な課題を解決します。

   • 1200V中間回路で高い分離を有効にします

   • グランドループをブロックすることにより、センサーの寿命を延長します

   • BOMコストを30％と個別のソリューションを削減します

   • 強化された断熱を伴うIEC 61800-5-1の安全性を超えます

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