ゲートドライブトランスSMB

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導入
SMB （Surface-Mount Box）パッケージのゲートドライブトランスは、高電圧スイッチングアプリケーションで重要な信号分離を提供します。高い分離電圧（最大5kVRMS）および超コンパクトフットプリントのために設計されたこれらの変圧器は、伝播遅延（<10NS）を最小限に抑えながら、正確なMOSFET/IGBT制御を可能にします。強化された断熱と超低巻き間巻き容量（<5PF）により、 SMBゲートドライブトランスソリューションは、ハーフブリッジ回路でのシュートスルーを防ぎ、1MHzを超える1MHzを超えるスイッチング周波数をサポートします。

重要な仕様

• 分離：3750VRMSから5000VRMS（60年代、IEC 60664ごとに補強）

• 周波数応答：10kHz-1MHz（立ち上がり時間<10ns）

• DV/DT免疫：> 50kV/μs（寄生ターンオンを排除）

• 温度：-40°C〜 +150°C（AEC -Q200オプション）

• パッケージ：8mmのクリープを備えたSMB SMD（7.2×6.5mm）

• ターン比：1：1、1：1.5（±2％の許容範囲） アプリケーション

これらの高周波トランスをパワーインダクタとRFマイクロ波コンポーネントと統合します。

• モータードライブ：EVトラクションインバーター、サーボコントローラー

• スイッチモード電源：LLCコンバーター、UPSシステム

• 再生可能エネルギー：ソーラーマイクロインバーター、BMS回路

• 産業システム：溶接装置、孤立したセンサー界面

• RFパワーステージ：ゲートの分離を必要とするGAN RFアンプ

設計上の利点

1. ノイズ免疫回路統合
   トリプルシールド巻線は、ゲートドライブトランスサーキットのコモンモード干渉を排除します。 EMCフィルター-EMI/RFIモジュールと互換性があり、フルシステムコンプライアンスのためのモジュール。

2. 高速安定性
   低漏れインダクタンス（<3μH）は、MHz周波数での鳴き声を防ぎます。 RFインダクタスナバーネットワークと高周波トランスとの共同設計用に最適化されています。

3. 熱管理
   高性能温度コアは、密なレイアウトのパワーインダクタに隣接する場合に不可欠な150°Cで透過性を維持します。

4. ドロップインSMB交換
   業界標準のフットプリントは、かさばるスルーホールデザインに取って代わります。ゲートドライブトランス回路のプロトタイピングを簡素化し、PCB面積を60％削減します。

なぜSMBトランスを選ぶのですか？
コンパクト電源システムを開発するエンジニアの場合、ゲートドライブトランスが配信されます。

• スペースクリティカルSMBゲートドライブトランスアプリケーションの高い分離

• ハイブリッド設計用のRFマイクロ波コンポーネントとのシームレスな統合

• センサー- DV/DTセンシングテクノロジーを介したレス電流監視

• 強化された信頼性とオプトカプラーソリューション